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TK11P65W,RQ
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- 制造商编号：
- TK11P65W,RQ
- 制造商：
- Toshiba东芝
- 系列：
- DTMOSIV
- 描述：
- MOSFET N-CH 650V 11.1A DPAK
- 详细描述：
- 表面贴装型 N 通道 650 V 11.1A（Ta） 100W（Tc） DPAK
- 规格说明书：
- TK11P65W,RQ说明书
- 在线客服：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Toshiba(东芝) |
| 系列 | DTMOSIV |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 650 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 11.1A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 440 毫欧 @ 5.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 450µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 25 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 890 pF @ 300 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 100W（Tc） |
| 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | DPAK |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| 标准包装 | 2,000 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| SPD08N50C3ATMA1 | Infineon Technologies | ¥17.43000 | 类似 |
| IPD60R600P7SAUMA1 | Infineon Technologies | ¥7.68000 | 类似 |
| AOD7S60 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | ¥13.44000 | 类似 |
| STD8N65M5 | STMicroelectronics | ¥19.81000 | 类似 |
| STD11NM65N | STMicroelectronics | ¥25.11000 | 类似 |
价格库存
- 库存
- 0
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- 咨询客服
- 标准包装
- 2,000 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 2000+ | ￥7.720739 | ￥15441.48 |
