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IXTH48N20T

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制造商编号:
IXTH48N20T
制造商:
IXYS艾赛斯
系列:
Trench
描述:
MOSFET N-CH 200V 48A TO247
详细描述:
通孔 N 通道 200 V 48A(Tc) 275W(Tc) TO-247(IXTH)
规格说明书:
IXTH48N20T说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 IXYS(艾赛斯)
系列 Trench
包装 管件
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 48A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) -
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) -
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 275W(Tc)
工作温度 -
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-247(IXTH)
封装/外壳 TO-247-3
标准包装 30

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标准包装
30 / PCS
包装
管件
总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
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