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CSD19532Q5BT

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制造商编号:
CSD19532Q5BT
制造商:
TI德州仪器
系列:
NexFET™
描述:
MOSFET N-CH 100V 100A 8VSON
详细描述:
表面贴装型 N 通道 100 V 100A(Ta) 3.1W(Ta),195W(Tc) 8-VSON-CLIP(5x6)
规格说明书:
CSD19532Q5BT说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 TI(德州仪器)
系列 NexFET™
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 100A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 6V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 4.9 毫欧 @ 17A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 3.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 62 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 4810 pF @ 50 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 3.1W(Ta),195W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 8-VSON-CLIP(5x6)
封装/外壳 8-PowerTDFN
标准包装 250

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型号 品牌 参考价格 说明
FDMS10C4D2N onsemi ¥24.27000 类似

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标准包装
250 / PCS
包装
卷带(TR)
总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥25.738039 ¥25.74
10+ ¥23.075326 ¥230.75
100+ ¥18.907998 ¥1890.80
250+ ¥17.938478 ¥4484.62
500+ ¥16.096168 ¥8048.08
1000+ ¥15.426261 ¥15426.26

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