CSD19532Q5BT
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请参阅产品规格
- 制造商编号:
- CSD19532Q5BT
- 制造商:
- TI德州仪器
- 系列:
- NexFET™
- 描述:
- MOSFET N-CH 100V 100A 8VSON
- 详细描述:
- 表面贴装型 N 通道 100 V 100A(Ta) 3.1W(Ta),195W(Tc) 8-VSON-CLIP(5x6)
- 规格说明书:
- CSD19532Q5BT说明书
- 在线客服:
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规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | TI(德州仪器) |
系列 | NexFET™ |
包装 | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态 | 在售 |
FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 100 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 100A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 6V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 4.9 毫欧 @ 17A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 3.2V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 62 nC @ 10 V |
Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 4810 pF @ 50 V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 3.1W(Ta),195W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | 8-VSON-CLIP(5x6) |
封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
标准包装 | 250 |
替代产品
型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
---|---|---|---|
FDMS10C4D2N | onsemi | ¥24.27000 | 类似 |
价格库存
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- 标准包装
- 250 / PCS
- 包装
- 卷带(TR)
总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
---|---|---|
1+ | ¥25.738039 | ¥25.74 |
10+ | ¥23.075326 | ¥230.75 |
100+ | ¥18.907998 | ¥1890.80 |
250+ | ¥17.938478 | ¥4484.62 |
500+ | ¥16.096168 | ¥8048.08 |
1000+ | ¥15.426261 | ¥15426.26 |