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TPN4R712MD,L1Q
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- 制造商编号：
- TPN4R712MD,L1Q
- 制造商：
- Toshiba东芝
- 系列：
- U-MOSVI
- 描述：
- MOSFET P-CH 20V 36A 8TSON
- 详细描述：
- 表面贴装型 P 通道 20 V 36A（Tc） 42W（Tc） 8-TSON Advance（3.1x3.1）
- 规格说明书：
- TPN4R712MD,L1Q说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Toshiba(东芝) |
| 系列 | U-MOSVI |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 20 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 36A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 4.7 毫欧 @ 18A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.2V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 65 nC @ 5 V |
| Vgs（最大值） | ±12V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 4300 pF @ 10 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 42W（Tc） |
| 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | 8-TSON Advance（3.1x3.1） |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
| 标准包装 | 5,000 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
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- 标准包装
- 5,000 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥6.99874 | ￥7.00 |
| 10+ | ￥6.197419 | ￥61.97 |
| 100+ | ￥4.750595 | ￥475.06 |
| 500+ | ￥3.755314 | ￥1877.66 |
| 1000+ | ￥3.004261 | ￥3004.26 |
| 2000+ | ￥2.722613 | ￥5445.23 |
| 5000+ | ￥2.560445 | ￥12802.23 |
