TPN4R712MD,L1Q
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请参阅产品规格
- 制造商编号:
- TPN4R712MD,L1Q
- 制造商:
- Toshiba东芝
- 系列:
- U-MOSVI
- 描述:
- MOSFET P-CH 20V 36A 8TSON
- 详细描述:
- 表面贴装型 P 通道 20 V 36A(Tc) 42W(Tc) 8-TSON Advance(3.1x3.1)
- 规格说明书:
- TPN4R712MD,L1Q说明书
- 在线客服:
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规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | Toshiba(东芝) |
系列 | U-MOSVI |
包装 | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态 | 在售 |
FET 类型 | P 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 20 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 36A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 2.5V,4.5V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 4.7 毫欧 @ 18A,4.5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 1.2V @ 1mA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 65 nC @ 5 V |
Vgs(最大值) | ±12V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 4300 pF @ 10 V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 42W(Tc) |
工作温度 | 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | 8-TSON Advance(3.1x3.1) |
封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
标准包装 | 5,000 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 5,000 / PCS
- 包装
- 卷带(TR)
总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
---|---|---|
1+ | ¥6.99874 | ¥7.00 |
10+ | ¥6.197419 | ¥61.97 |
100+ | ¥4.750595 | ¥475.06 |
500+ | ¥3.755314 | ¥1877.66 |
1000+ | ¥3.004261 | ¥3004.26 |
2000+ | ¥2.722613 | ¥5445.23 |
5000+ | ¥2.560445 | ¥12802.23 |