STD3NM60N
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- 制造商编号:
- STD3NM60N
- 制造商:
- ST意法半导体
- 系列:
- MDmesh™ II
- 描述:
- MOSFET N-CH 600V 3.3A DPAK
- 详细描述:
- 表面贴装型 N 通道 600 V 3.3A(Tc) 50W(Tc) DPAK
- 规格说明书:
- STD3NM60N说明书
- 在线客服:
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规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | ST(意法半导体) |
系列 | MDmesh™ II |
包装 | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态 | 在售 |
FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 600 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3.3A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 1.8 欧姆 @ 1.65A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 9.5 nC @ 10 V |
Vgs(最大值) | ±25V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 188 pF @ 50 V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 50W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | DPAK |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
标准包装 | 2,500 |
替代产品
型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
---|---|---|---|
SPD03N60C3ATMA1 | Infineon Technologies | ¥13.90000 | 类似 |
价格库存
- 库存
- 0
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- 标准包装
- 2,500 / PCS
- 包装
- 卷带(TR)
单价:¥5.863535 总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
---|---|---|
1+ | ¥12.122731 | ¥12.12 |
10+ | ¥10.875644 | ¥108.76 |
100+ | ¥8.477208 | ¥847.72 |
500+ | ¥7.002711 | ¥3501.36 |
1000+ | ¥5.863572 | ¥5863.57 |
2500+ | ¥5.863535 | ¥14658.84 |