在线客服 
SIDR870ADP-T1-GE3
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号：
- SIDR870ADP-T1-GE3
- 制造商：
- Vishay威世
- 系列：
- TrenchFET®
- 描述：
- MOSFET N-CH 100V 95A PPAK SO-8DC
- 详细描述：
- 表面贴装型 N 通道 100 V 95A（Tc） 125W（Tc） PowerPAK® SO-8DC
- 规格说明书：
- SIDR870ADP-T1-GE3说明书
- 在线客服：
- 咨询客服
- 服务：
- 为用户提供价格咨询，发货售后，在线客服。
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Vishay(威世) |
| 系列 | TrenchFET® |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 95A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 6.6 毫欧 @ 20A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 80 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2866 pF @ 50 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 125W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8DC |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
| 标准包装 | 3,000 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 3,000 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
单价：￥10.422403 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥20.527824 | ￥20.53 |
| 10+ | ￥18.410387 | ￥184.10 |
| 100+ | ￥14.799927 | ￥1479.99 |
| 500+ | ￥12.15941 | ￥6079.70 |
| 1000+ | ￥10.422465 | ￥10422.47 |
| 3000+ | ￥10.422403 | ￥31267.21 |
