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DD1200S12H4HOSA1

Infineon photo

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制造商编号:
DD1200S12H4HOSA1
制造商:
Infineon英飞凌
系列:
-
描述:
IGBT MODULE 1200V 1200A
详细描述:
IGBT 模块 - 2 个独立式 1200 V 1200 A 1200000 W 底座安装 模块
规格说明书:
DD1200S12H4HOSA1说明书
在线客服:
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服务:
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规格参数

属性 属性值
制造商 Infineon(英飞凌)
系列 -
包装 托盘
零件状态 在售
IGBT 类型 -
配置 2 个独立式
电压 - 集射极击穿(最大值) 1200 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 1200 A
功率 - 最大值 1200000 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) 2.35V @ 15V,1200A
输入 标准
NTC 热敏电阻
工作温度 -40°C ~ 150°C
安装类型 底座安装
封装/外壳 模块
供应商器件封装 模块
标准包装 2

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
2 / PCS
包装
托盘
总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
2+ ¥8527.879688 ¥17055.76

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