DMN61D8LVTQ-13
![Diodes photo](https://file.ygchip.com/brands/labels/Diodes Incorporated.png)
![](https://file.ygchip.com/photos/Diodes/JBgsRb1f.jpg)
![](https://file.ygchip.com/photos/Diodes/JBgsRb1f.jpg)
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号:
- DMN61D8LVTQ-13
- 制造商:
- Diodes美台
- 系列:
- -
- 描述:
- MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26
- 详细描述:
- MOSFET - 阵列 2 N-通道(双) 60V 630mA 820mW 表面贴装型 TSOT-23
- 规格说明书:
- DMN61D8LVTQ-13说明书
- 在线客服:
- 咨询客服
- 服务:
- 为用户提供价格咨询,发货售后,在线客服。
规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | Diodes(美台) |
系列 | - |
包装 | 卷带(TR) |
零件状态 | 在售 |
FET 类型 | 2 N-通道(双) |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源电压(Vdss) | 60V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 630mA |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 1.8 欧姆 @ 150mA,5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2V @ 1mA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 0.74nC @ 5V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 12.9pF @ 12V |
功率 - 最大值 | 820mW |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 |
供应商器件封装 | TSOT-23 |
标准包装 | 10,000 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 10,000 / PCS
- 包装
- 卷带(TR)
总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
---|---|---|
10000+ | ¥1.475936 | ¥14759.36 |