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STB15N80K5

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制造商编号:
STB15N80K5
制造商:
ST意法半导体
系列:
SuperMESH5™
描述:
MOSFET N CH 800V 14A D2PAK
详细描述:
表面贴装型 N 通道 800 V 14A(Tc) 190W(Tc) D²PAK(TO-263)
规格说明书:
STB15N80K5说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 ST(意法半导体)
系列 SuperMESH5™
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 14A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 375 毫欧 @ 7A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 5V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 32 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1100 pF @ 100 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 190W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 D²PAK(TO-263)
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
标准包装 1,000

替代产品

型号 品牌 参考价格 说明
R6011KNJTL Rohm Semiconductor ¥16.43000 类似
IPB60R360P7ATMA1 Infineon Technologies ¥18.51000 类似

价格库存

库存
0
货期
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标准包装
1,000 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥33.241174 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥55.379121 ¥55.38
10+ ¥49.729307 ¥497.29
100+ ¥40.74369 ¥4074.37
500+ ¥34.684712 ¥17342.36
1000+ ¥33.241174 ¥33241.17

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