您好,欢迎来到壹方微芯!

BSO207PNTMA1

Infineon photo

图像仅供参考

请参阅产品规格

制造商编号:
BSO207PNTMA1
制造商:
Infineon英飞凌
系列:
OptiMOS™
描述:
MOSFET 2P-CH 20V 5.7A 8SOIC
详细描述:
MOSFET - 阵列 2 个 P 沟道(双) 20V 5.7A 2W 表面贴装型 PG-DSO-8
规格说明书:
BSO207PNTMA1说明书
在线客服:
咨询客服
服务:
为用户提供价格咨询,发货售后,在线客服。

规格参数

属性 属性值
制造商 Infineon(英飞凌)
系列 OptiMOS™
包装 卷带(TR)
零件状态 停产
FET 类型 2 个 P 沟道(双)
FET 功能 逻辑电平门
漏源电压(Vdss) 20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 5.7A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 45 毫欧 @ 5.7A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1.2V @ 40µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 23.4nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1013pF @ 15V
功率 - 最大值 2W
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装 PG-DSO-8
标准包装 2,500

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
2,500 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥0 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
暂无报价

相关产品