您好,欢迎来到壹方微芯!

IXGQ120N30TCD1

IXYS photo

图像仅供参考

请参阅产品规格

制造商编号:
IXGQ120N30TCD1
制造商:
IXYS艾赛斯
系列:
-
描述:
IGBT 300V 120A TO3P
详细描述:
IGBT 沟道 300 V 120 A 通孔 TO-3P
规格说明书:
IXGQ120N30TCD1说明书
在线客服:
咨询客服
服务:
为用户提供价格咨询,发货售后,在线客服。

规格参数

属性 属性值
制造商 IXYS(艾赛斯)
系列 -
包装 管件
零件状态 在售
IGBT 类型 沟道
电压 - 集射极击穿(最大值) 300 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 120 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) -
开关能量 -
输入类型 标准
25°C 时 Td(开/关)值 -
测试条件 -
工作温度 -
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-3P-3,SC-65-3
供应商器件封装 TO-3P
标准包装 30

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
30 / PCS
包装
管件
单价:¥0 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
暂无报价

相关产品