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SI1012CR-T1-GE3
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- 制造商编号：
- SI1012CR-T1-GE3
- 制造商：
- Vishay威世
- 系列：
- TrenchFET®
- 描述：
- MOSFET N-CH 20V SC75A
- 详细描述：
- 表面贴装型 N 通道 20 V 630mA（Ta） 240mW（Ta） SC-75A
- 规格说明书：
- SI1012CR-T1-GE3说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Vishay(威世) |
| 系列 | TrenchFET® |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 20 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 630mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.5V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 396 毫欧 @ 600mA，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 2 nC @ 8 V |
| Vgs（最大值） | ±8V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 43 pF @ 10 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 240mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | SC-75A |
| 封装/外壳 | SC-75，SOT-416 |
| 标准包装 | 3,000 |
价格库存
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- 0
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- 标准包装
- 3,000 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
单价：￥0.982103 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥4.675022 | ￥4.68 |
| 10+ | ￥3.523674 | ￥35.24 |
| 100+ | ￥2.195271 | ￥219.53 |
| 500+ | ￥1.50205 | ￥751.03 |
| 1000+ | ￥1.155414 | ￥1155.41 |
| 3000+ | ￥1.039882 | ￥3119.65 |
| 6000+ | ￥0.982103 | ￥5892.62 |
