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TSM60N1R4CH C5G

Taiwan Semiconductor photo

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制造商编号:
TSM60N1R4CH C5G
制造商:
Taiwan Semiconductor台湾积体电路
系列:
-
描述:
MOSFET N-CH 600V 3.3A TO251
详细描述:
通孔 N 通道 600 V 3.3A(Tc) 38W(Tc) TO-251(IPAK)
规格说明书:
TSM60N1R4CH C5G说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Taiwan Semiconductor(台湾积体电路)
系列 -
包装 管件
零件状态 不适用于新设计
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 3.3A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 1.4 欧姆 @ 2A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 7.7 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 370 pF @ 100 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 38W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-251(IPAK)
封装/外壳 TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
标准包装 1,875

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型号 品牌 参考价格 说明
STU5N60M2 STMicroelectronics ¥10.37000 类似

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标准包装
1,875 / PCS
包装
管件
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