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STD8N80K5
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- 制造商编号：
- STD8N80K5
- 制造商：
- ST意法半导体
- 系列：
- SuperMESH5™
- 描述：
- MOSFET N CH 800V 6A DPAK
- 详细描述：
- 表面贴装型 N 通道 800 V 6A（Tc） 110W（Tc） DPAK
- 规格说明书：
- STD8N80K5说明书
- 在线客服：
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- 服务：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | ST(意法半导体) |
| 系列 | SuperMESH5™ |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 800 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 6A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 950 毫欧 @ 3A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 100µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 16.5 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 450 pF @ 100 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 110W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | DPAK |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| 标准包装 | 2,500 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| TK5P60W,RVQ | Toshiba Semiconductor and Storage | ¥13.59000 | 类似 |
| IPD80R900P7ATMA1 | Infineon Technologies | ¥14.28000 | 类似 |
| TSM60NB900CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | ¥23.35000 | 类似 |
价格库存
- 库存
- 0
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- 标准包装
- 2,500 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
单价：￥14.153319 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥26.2597 | ￥26.26 |
| 10+ | ￥23.575292 | ￥235.75 |
| 100+ | ￥18.949134 | ￥1894.91 |
| 500+ | ￥15.56872 | ￥7784.36 |
| 1000+ | ￥14.153332 | ￥14153.33 |
| 2500+ | ￥14.153319 | ￥35383.30 |
