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FGA50N100BNTD2
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- 制造商编号：
- FGA50N100BNTD2
- 制造商：
- ON安森美
- 系列：
- -
- 描述：
- IGBT 1000V 50A 156W TO3P
- 详细描述：
- IGBT NPT 和沟道 1000 V 50 A 156 W 通孔 TO-3P
- 规格说明书：
- FGA50N100BNTD2说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | ON(安森美) |
| 系列 | - |
| 包装 | 管件 |
| 零件状态 | 停产 |
| IGBT 类型 | NPT 和沟道 |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 1000 V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 50 A |
| 电流 - 集电极脉冲 (Icm) | 200 A |
| 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值） | 2.9V @ 15V，60A |
| 功率 - 最大值 | 156 W |
| 开关能量 | - |
| 输入类型 | 标准 |
| 栅极电荷 | 257 nC |
| 25°C 时 Td（开/关）值 | 34ns/243ns |
| 测试条件 | 600V，60A，10 欧姆，15V |
| 反向恢复时间 (trr) | 75 ns |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 供应商器件封装 | TO-3P |
| 标准包装 | 450 |
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- 标准包装
- 450 / PCS
- 包装
- 管件
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