SQUN702E-T1_GE3
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号:
- SQUN702E-T1_GE3
- 制造商:
- Vishay威世
- 系列:
- Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
- 描述:
- MOSFET N&P-CH COMMON DRAIN
- 详细描述:
- MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道,共漏 40V,200V 30A(Tc),20A(Tc) 48W(Tc),60W(Tc) 表面贴装,可润湿侧翼 模具
- 规格说明书:
- SQUN702E-T1_GE3说明书
- 在线客服:
- 咨询客服
- 服务:
- 为用户提供价格咨询,发货售后,在线客服。
规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | Vishay(威世) |
系列 | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
包装 | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态 | 在售 |
FET 类型 | N 和 P 沟道,共漏 |
FET 功能 | 标准 |
漏源电压(Vdss) | 40V,200V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 30A(Tc),20A(Tc) |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 9.2 毫欧 @ 9.8A,10V,60 毫欧 @ 5A,10V,30 毫欧 @ 6A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA,3.5V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 23nC @ 20V,14nC @ 20V,30.2nC @ 100V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 1474pF @ 20V,1450pF @ 20V,1302pF @ 100V |
功率 - 最大值 | 48W(Tc),60W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装,可润湿侧翼 |
封装/外壳 | 模具 |
供应商器件封装 | 模具 |
标准包装 | 2,000 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 2,000 / PCS
- 包装
- 卷带(TR)
总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
---|---|---|
1+ | ¥33.352304 | ¥33.35 |
10+ | ¥29.921325 | ¥299.21 |
100+ | ¥24.515767 | ¥2451.58 |
500+ | ¥20.869879 | ¥10434.94 |
1000+ | ¥18.85838 | ¥18858.38 |
2000+ | ¥18.85838 | ¥37716.76 |