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STP110N10F7

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制造商编号:
STP110N10F7
制造商:
ST意法半导体
系列:
DeepGATE™, STripFET™ VII
描述:
MOSFET N CH 100V 110A TO-220
详细描述:
通孔 N 通道 100 V 110A(Tc) 150W(Tc) TO-220
规格说明书:
STP110N10F7说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 ST(意法半导体)
系列 DeepGATE™, STripFET™ VII
包装 管件
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 110A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 7 毫欧 @ 55A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 60 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 5500 pF @ 50 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 150W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220
封装/外壳 TO-220-3
标准包装 50

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
50 / PCS
包装
管件
单价:¥15.271184 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥28.360973 ¥28.36
10+ ¥25.437841 ¥254.38
100+ ¥20.44626 ¥2044.63
500+ ¥16.798375 ¥8399.19
1000+ ¥15.271184 ¥15271.18

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