STGF30M65DF2
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- 制造商编号:
- STGF30M65DF2
- 制造商:
- ST意法半导体
- 系列:
- M
- 描述:
- IGBT TRENCH 650V 60A TO220FP
- 详细描述:
- IGBT 沟槽型场截止 650 V 60 A 38 W 通孔 TO-220FP
- 规格说明书:
- STGF30M65DF2说明书
- 在线客服:
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- 服务:
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规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | ST(意法半导体) |
系列 | M |
包装 | 管件 |
零件状态 | 在售 |
IGBT 类型 | 沟槽型场截止 |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 650 V |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 60 A |
电流 - 集电极脉冲 (Icm) | 120 A |
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) | 2V @ 15V,30A |
功率 - 最大值 | 38 W |
开关能量 | 300µJ(开),960µJ(关) |
输入类型 | 标准 |
栅极电荷 | 80 nC |
25°C 时 Td(开/关)值 | 31.6ns/115ns |
测试条件 | 400V,30A,10 欧姆,15V |
反向恢复时间 (trr) | 140 ns |
工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
供应商器件封装 | TO-220FP |
标准包装 | 50 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 50 / PCS
- 包装
- 管件
单价:¥16.984008 总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
---|---|---|
1+ | ¥27.30412 | ¥27.30 |
10+ | ¥24.482943 | ¥244.83 |
100+ | ¥20.060571 | ¥2006.06 |
500+ | ¥17.077185 | ¥8538.59 |
1000+ | ¥16.984008 | ¥16984.01 |