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STGF30M65DF2

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制造商编号:
STGF30M65DF2
制造商:
ST意法半导体
系列:
M
描述:
IGBT TRENCH 650V 60A TO220FP
详细描述:
IGBT 沟槽型场截止 650 V 60 A 38 W 通孔 TO-220FP
规格说明书:
STGF30M65DF2说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 ST(意法半导体)
系列 M
包装 管件
零件状态 在售
IGBT 类型 沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值) 650 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 60 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm) 120 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) 2V @ 15V,30A
功率 - 最大值 38 W
开关能量 300µJ(开),960µJ(关)
输入类型 标准
栅极电荷 80 nC
25°C 时 Td(开/关)值 31.6ns/115ns
测试条件 400V,30A,10 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr) 140 ns
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3 整包
供应商器件封装 TO-220FP
标准包装 50

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
50 / PCS
包装
管件
单价:¥16.984008 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥27.30412 ¥27.30
10+ ¥24.482943 ¥244.83
100+ ¥20.060571 ¥2006.06
500+ ¥17.077185 ¥8538.59
1000+ ¥16.984008 ¥16984.01

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