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APTGF150DH120G

Microchip photo

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制造商编号:
APTGF150DH120G
制造商:
Microchip微芯
系列:
-
描述:
IGBT MODULE 1200V 200A 961W SP6
详细描述:
IGBT 模块 NPT 非对称桥 1200 V 200 A 961 W 底座安装 SP6
规格说明书:
APTGF150DH120G说明书
在线客服:
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规格参数

属性 属性值
制造商 Microchip(微芯)
系列 -
包装 散装
零件状态 停产
IGBT 类型 NPT
配置 非对称桥
电压 - 集射极击穿(最大值) 1200 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 200 A
功率 - 最大值 961 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) 3.7V @ 15V,150A
电流 - 集电极截止(最大值) 350 µA
不同 Vce 时输入电容 (Cies) 10.2 nF @ 25 V
输入 标准
NTC 热敏电阻
工作温度 -
安装类型 底座安装
封装/外壳 SP6
供应商器件封装 SP6
标准包装 1

价格库存

库存
0
货期
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标准包装
1 / PCS
包装
散装
单价:¥0 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
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