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DMG1016VQ-7

Diodes photo

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制造商编号:
DMG1016VQ-7
制造商:
Diodes美台
系列:
-
描述:
MOSFET N/P-CH 20V SOT563
详细描述:
MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 20V 870mA,640mA 530mW 表面贴装型 SOT-563
规格说明书:
DMG1016VQ-7说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Diodes(美台)
系列 -
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 N 和 P 沟道
FET 功能 逻辑电平门
漏源电压(Vdss) 20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 870mA,640mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 400 毫欧 @ 600mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 0.74nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 60.67pF @ 16V
功率 - 最大值 530mW
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 SOT-563,SOT-666
供应商器件封装 SOT-563
标准包装 3,000

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
3,000 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥1.599144 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥4.873959 ¥4.87
10+ ¥4.134162 ¥41.34
100+ ¥3.088001 ¥308.80
500+ ¥2.426287 ¥1213.14
1000+ ¥1.874858 ¥1874.86
3000+ ¥1.709442 ¥5128.33
6000+ ¥1.599144 ¥9594.86

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