SI3424CDV-T1-GE3
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请参阅产品规格
- 制造商编号:
- SI3424CDV-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay威世
- 系列:
- TrenchFET®
- 描述:
- MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP
- 详细描述:
- 表面贴装型 N 通道 30 V 8A(Tc) 3.6W(Tc) 6-TSOP
- 规格说明书:
- SI3424CDV-T1-GE3说明书
- 在线客服:
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- 为用户提供价格咨询,发货售后,在线客服。
规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | Vishay(威世) |
系列 | TrenchFET® |
包装 | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态 | 在售 |
FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 30 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 8A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 26 毫欧 @ 7.2A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 12.5 nC @ 10 V |
Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 405 pF @ 15 V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 3.6W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | 6-TSOP |
封装/外壳 | SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 |
标准包装 | 3,000 |
替代产品
型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
---|---|---|---|
FDC855N | onsemi | ¥5.45000 | 类似 |
价格库存
- 库存
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- 标准包装
- 3,000 / PCS
- 包装
- 卷带(TR)
总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
---|---|---|
1+ | ¥4.901398 | ¥4.90 |
10+ | ¥3.982671 | ¥39.83 |
100+ | ¥2.712069 | ¥271.21 |
500+ | ¥2.033738 | ¥1016.87 |
1000+ | ¥1.525315 | ¥1525.32 |
3000+ | ¥1.398198 | ¥4194.59 |
6000+ | ¥1.313461 | ¥7880.77 |