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CSD87313DMS

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制造商编号:
CSD87313DMS
制造商:
TI德州仪器
系列:
NexFET™
描述:
MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 8WSON
详细描述:
MOSFET - 阵列 2 N 沟道(双)共漏 30V - 表面贴装型 8-WSON(3.3x3.3)
规格说明书:
CSD87313DMS说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 TI(德州仪器)
系列 NexFET™
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 2 N 沟道(双)共漏
FET 功能 标准
漏源电压(Vdss) 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) -
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) -
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1.25V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 28nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 4290pF @ 15V
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-PowerWDFN
供应商器件封装 8-WSON(3.3x3.3)
标准包装 2,500

价格库存

库存
0
货期
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标准包装
2,500 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥10.193476 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
2500+ ¥10.193476 ¥25483.69

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