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TP65H070LSG
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- 制造商编号：
- TP65H070LSG
- 制造商：
- Transphorm
- 系列：
- TP65H070L
- 描述：
- GANFET N-CH 650V 25A 3PQFN
- 详细描述：
- 表面贴装型 N 通道 650 V 25A（Tc） 96W（Tc） 3-PQFN（8x8）
- 规格说明书：
- TP65H070LSG说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Transphorm |
| 系列 | TP65H070L |
| 包装 | 管件 |
| 零件状态 | Digi-Key 停止提供 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | GaNFET（共源共栅氮化镓 FET） |
| 漏源电压（Vdss） | 650 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 25A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 85 毫欧 @ 16A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.8V @ 700µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 9.3 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 600 pF @ 400 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 96W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | 3-PQFN（8x8） |
| 封装/外壳 | 3-PowerDFN |
| 标准包装 | 60 |
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- 标准包装
- 60 / PCS
- 包装
- 管件
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