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IPL65R660E6AUMA1
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- 制造商编号：
- IPL65R660E6AUMA1
- 制造商：
- Infineon英飞凌
- 系列：
- CoolMOS™ E6
- 描述：
- MOSFET N-CH 650V 7A THIN-PAK
- 详细描述：
- 表面贴装型 N 通道 650 V 7A（Tc） 63W（Tc） PG-VSON-4
- 规格说明书：
- IPL65R660E6AUMA1说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Infineon(英飞凌) |
| 系列 | CoolMOS™ E6 |
| 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 停产 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 650 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 7A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 660 毫欧 @ 2.1A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 200µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 23 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 440 pF @ 100 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 63W（Tc） |
| 工作温度 | -40°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | PG-VSON-4 |
| 封装/外壳 | 4-PowerTSFN |
| 标准包装 | 3,000 |
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- 标准包装
- 3,000 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
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