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STGP6M65DF2

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制造商编号:
STGP6M65DF2
制造商:
ST意法半导体
系列:
M
描述:
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
详细描述:
IGBT 沟槽型场截止 650 V 12 A 88 W 通孔 TO-220
规格说明书:
STGP6M65DF2说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 ST(意法半导体)
系列 M
包装 管件
零件状态 在售
IGBT 类型 沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值) 650 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 12 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm) 24 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) 2V @ 15V,6A
功率 - 最大值 88 W
开关能量 40µJ(开),136µJ(关)
输入类型 标准
栅极电荷 21.2 nC
25°C 时 Td(开/关)值 12ns/86ns
测试条件 400V,6A,22 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr) 140 ns
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3
供应商器件封装 TO-220
标准包装 2,000

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
2,000 / PCS
包装
管件
总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥14.704194 ¥14.70
10+ ¥13.112949 ¥131.13
100+ ¥10.226938 ¥1022.69
500+ ¥8.448232 ¥4224.12
1000+ ¥7.340881 ¥7340.88

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