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SIZ342DT-T1-GE3
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- 制造商编号：
- SIZ342DT-T1-GE3
- 制造商：
- Vishay威世
- 系列：
- TrenchFET®
- 描述：
- MOSFET DL N-CH 30V POWERPAIR3X3
- 详细描述：
- MOSFET - 阵列 2 N-通道（双） 30V 15.7A（Ta），100A（Tc） 3.6W，4.3W 表面贴装型 8-Power33（3x3）
- 规格说明书：
- SIZ342DT-T1-GE3说明书
- 在线客服：
- 咨询客服
- 服务：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Vishay(威世) |
| 系列 | TrenchFET® |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | 2 N-通道（双） |
| FET 功能 | - |
| 漏源电压（Vdss） | 30V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 15.7A（Ta），100A（Tc） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 11.5 毫欧 @ 14A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 20nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 650pF @ 15V |
| 功率 - 最大值 | 3.6W，4.3W |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-PowerWDFN |
| 供应商器件封装 | 8-Power33（3x3） |
| 标准包装 | 3,000 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| PTN3393BSY | NXP USA Inc. | ¥10.56644 | 类似 |
| Z84C4306AEG | Zilog | ¥97.38000 | 类似 |
| QLX4600SIQT7 | Renesas Electronics America Inc | ¥115.81000 | 类似 |
| DS90CF383BMT/NOPB | Texas Instruments | ¥38.71000 | 类似 |
| ISL36411DRZ-T7 | Renesas Electronics America Inc | ¥193.69000 | 类似 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 3,000 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
单价：￥4.191021 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥9.26301 | ￥9.26 |
| 10+ | ￥8.24097 | ￥82.41 |
| 100+ | ￥6.426415 | ￥642.64 |
| 500+ | ￥5.308637 | ￥2654.32 |
| 1000+ | ￥4.191021 | ￥4191.02 |
| 3000+ | ￥4.191021 | ￥12573.06 |
