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SI4943BDY-T1-E3
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- 制造商编号：
- SI4943BDY-T1-E3
- 制造商：
- Vishay威世
- 系列：
- TrenchFET®
- 描述：
- MOSFET 2P-CH 20V 6.3A 8-SOIC
- 详细描述：
- MOSFET - 阵列 2 个 P 沟道（双） 20V 6.3A 1.1W 表面贴装型 8-SOIC
- 规格说明书：
- SI4943BDY-T1-E3说明书
- 在线客服：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Vishay(威世) |
| 系列 | TrenchFET® |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源电压（Vdss） | 20V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 6.3A |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 19 毫欧 @ 8.4A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 25nC @ 5V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | - |
| 功率 - 最大值 | 1.1W |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC |
| 标准包装 | 2,500 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| TPS1120DR | Texas Instruments | ¥16.90000 | 类似 |
| TPS1120D | Rochester Electronics, LLC | ¥8.03351 | 类似 |
| IRF9953TRPBF | Infineon Technologies | ¥7.68000 | 类似 |
| IRF7314TRPBF | Infineon Technologies | ¥7.83000 | 类似 |
| ZXMP3A16DN8TA | Diodes Incorporated | ¥12.06000 | 类似 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 2,500 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥18.990068 | ￥18.99 |
| 10+ | ￥17.09562 | ￥170.96 |
| 100+ | ￥13.741582 | ￥1374.16 |
| 500+ | ￥11.290199 | ￥5645.10 |
| 1000+ | ￥9.67724 | ￥9677.24 |
| 2500+ | ￥9.677252 | ￥24193.13 |
