在线客服 
NVMTS1D2N08H
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号：
- NVMTS1D2N08H
- 制造商：
- ON安森美
- 系列：
- Automotive, AEC-Q101
- 描述：
- MOSFET N-CH 80V 43.5A/337A 8DFNW
- 详细描述：
- 表面贴装型 N 通道 80 V 43.5A（Ta），337A（Tc） 5W（Ta），300W（Tc） 8-DFNW（8.3x8.4）
- 规格说明书：
- NVMTS1D2N08H说明书
- 在线客服：
- 咨询客服
- 服务：
- 为用户提供价格咨询，发货售后，在线客服。
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | ON(安森美) |
| 系列 | Automotive, AEC-Q101 |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 80 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 43.5A（Ta），337A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.1 毫欧 @ 90A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 590µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 147 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 10100 pF @ 40 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 5W（Ta），300W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | 8-DFNW（8.3x8.4） |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
| 标准包装 | 3,000 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 3,000 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥48.763211 | ￥48.76 |
| 10+ | ￥43.777463 | ￥437.77 |
| 100+ | ￥35.867519 | ￥3586.75 |
| 500+ | ￥30.533179 | ￥15266.59 |
| 1000+ | ￥29.262395 | ￥29262.40 |
| 3000+ | ￥29.262395 | ￥87787.18 |
