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IXTH20N65X2
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- 制造商编号：
- IXTH20N65X2
- 制造商：
- IXYS艾赛斯
- 系列：
- Ultra X2
- 描述：
- MOSFET N-CH 650V 20A TO247
- 详细描述：
- 通孔 N 通道 650 V 20A（Tc） 290W（Tc） TO-247（IXTH）
- 规格说明书：
- IXTH20N65X2说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | IXYS(艾赛斯) |
| 系列 | Ultra X2 |
| 包装 | 管件 |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 650 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 20A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 185 毫欧 @ 10A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 27 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1450 pF @ 25 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 290W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-247（IXTH） |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 标准包装 | 30 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| TK20N60W5,S1VF | Toshiba Semiconductor and Storage | ¥28.72000 | 类似 |
| STW27N60M2-EP | STMicroelectronics | ¥43.62000 | 类似 |
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- 标准包装
- 30 / PCS
- 包装
- 管件
总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥61.096496 | ￥61.10 |
| 10+ | ￥54.851203 | ￥548.51 |
| 100+ | ￥44.939892 | ￥4493.99 |
| 500+ | ￥38.256756 | ￥19128.38 |
| 1000+ | ￥32.264843 | ￥32264.84 |
| 2000+ | ￥31.426761 | ￥62853.52 |
