SIDR392DP-T1-GE3
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- 制造商编号:
- SIDR392DP-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay威世
- 系列:
- TrenchFET® Gen IV
- 描述:
- MOSFET N-CH 30V 82A/100A PPAK
- 详细描述:
- 表面贴装型 N 通道 30 V 82A(Ta),100A(Tc) 6.25W(Ta),125W(Tc) PowerPAK® SO-8DC
- 规格说明书:
- SIDR392DP-T1-GE3说明书
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规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | Vishay(威世) |
系列 | TrenchFET® Gen IV |
包装 | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态 | 在售 |
FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 30 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 82A(Ta),100A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 0.62 毫欧 @ 20A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2.2V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 188 nC @ 10 V |
Vgs(最大值) | +20V,-16V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 9530 pF @ 15 V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 6.25W(Ta),125W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8DC |
封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
标准包装 | 3,000 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
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- 标准包装
- 3,000 / PCS
- 包装
- 卷带(TR)
单价:¥13.825085 总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
---|---|---|
1+ | ¥27.217085 | ¥27.22 |
10+ | ¥24.425748 | ¥244.26 |
100+ | ¥19.631861 | ¥1963.19 |
500+ | ¥16.129225 | ¥8064.61 |
1000+ | ¥13.825148 | ¥13825.15 |
3000+ | ¥13.825085 | ¥41475.25 |