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CSD85302L

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制造商编号:
CSD85302L
制造商:
TI德州仪器
系列:
NexFET™
描述:
MOSFET 2N-CH 20V 5A
详细描述:
MOSFET - 阵列 2 N 沟道(双)共漏 - - 1.7W 表面贴装型 4-Picostar(1.31x1.31)
规格说明书:
CSD85302L说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 TI(德州仪器)
系列 NexFET™
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 2 N 沟道(双)共漏
FET 功能 标准
漏源电压(Vdss) -
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) -
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) -
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) -
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 7.8nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) -
功率 - 最大值 1.7W
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 4-XFLGA
供应商器件封装 4-Picostar(1.31x1.31)
标准包装 3,000

价格库存

库存
0
货期
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标准包装
3,000 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥2.289269 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥6.30382 ¥6.30
10+ ¥5.394926 ¥53.95
100+ ¥4.029471 ¥402.95
500+ ¥3.165736 ¥1582.87
1000+ ¥2.446243 ¥2446.24
3000+ ¥2.289269 ¥6867.81

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