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APT40GP60SG
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- 制造商编号：
- APT40GP60SG
- 制造商：
- Microsemi美高森美
- 系列：
- POWER MOS 7®
- 描述：
- IGBT 600V 100A 543W D3PAK
- 详细描述：
- IGBT PT 600 V 100 A 543 W 表面贴装型 D3 [S]
- 规格说明书：
- APT40GP60SG说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Microsemi(美高森美) |
| 系列 | POWER MOS 7® |
| 包装 | 管件 |
| 零件状态 | 在售 |
| IGBT 类型 | PT |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 600 V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 100 A |
| 电流 - 集电极脉冲 (Icm) | 160 A |
| 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值） | 2.7V @ 15V，40A |
| 功率 - 最大值 | 543 W |
| 开关能量 | 385µJ（开），352µJ（关） |
| 输入类型 | 标准 |
| 栅极电荷 | 135 nC |
| 25°C 时 Td（开/关）值 | 20ns/64ns |
| 测试条件 | 400V，40A，5 欧姆，15V |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA |
| 供应商器件封装 | D3 [S] |
| 标准包装 | 1 |
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- 包装
- 管件
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