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FCH099N65S3_F155

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制造商编号:
FCH099N65S3_F155
制造商:
ON安森美
系列:
SuperFET® III
描述:
MOSFET N-CH 650V 30A TO247-3
详细描述:
通孔 N 通道 650 V 30A(Tc) 227W(Tc) TO-247-3
规格说明书:
FCH099N65S3_F155说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 ON(安森美)
系列 SuperFET® III
包装 管件
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 30A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 99 毫欧 @ 15A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 3mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 61 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 2480 pF @ 400 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 227W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-247-3
封装/外壳 TO-247-3
标准包装 450

替代产品

型号 品牌 参考价格 说明
IPW60R125C6FKSA1 Infineon Technologies ¥59.75000 类似
IXFX48N60Q3 IXYS ¥215.95000 类似
STW37N60DM2AG STMicroelectronics ¥54.76000 类似
IXKH35N60C5 IXYS ¥89.24000 类似
APT30N60BC6 Microchip Technology ¥44.85000 类似

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标准包装
450 / PCS
包装
管件
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