SI3483DDV-T1-GE3
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- 制造商编号:
- SI3483DDV-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay威世
- 系列:
- TrenchFET® Gen IV
- 描述:
- MOSFET P-CH 30V 6.4A/8A 6TSOP
- 详细描述:
- 表面贴装型 P 通道 30 V 6.4A(Ta),8A(Tc) 2W(Ta),3W(Tc) 6-TSOP
- 规格说明书:
- SI3483DDV-T1-GE3说明书
- 在线客服:
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规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | Vishay(威世) |
系列 | TrenchFET® Gen IV |
包装 | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态 | 在售 |
FET 类型 | P 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 30 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 6.4A(Ta),8A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 31.2 毫欧 @ 5A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2.2V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 14.5 nC @ 10 V |
Vgs(最大值) | +16V,-20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 580 pF @ 15 V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 2W(Ta),3W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | 6-TSOP |
封装/外壳 | SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 |
标准包装 | 3,000 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
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- 标准包装
- 3,000 / PCS
- 包装
- 卷带(TR)
总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
---|---|---|
1+ | ¥5.072377 | ¥5.07 |
10+ | ¥4.333748 | ¥43.34 |
100+ | ¥3.235493 | ¥323.55 |
500+ | ¥2.542184 | ¥1271.09 |
1000+ | ¥1.964412 | ¥1964.41 |
3000+ | ¥1.791085 | ¥5373.26 |
6000+ | ¥1.733305 | ¥10399.83 |