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STGB15M65DF2

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制造商编号:
STGB15M65DF2
制造商:
ST意法半导体
系列:
-
描述:
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
详细描述:
IGBT 沟槽型场截止 650 V 30 A 136 W 表面贴装型 D²PAK(TO-263)
规格说明书:
STGB15M65DF2说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 ST(意法半导体)
系列 -
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
IGBT 类型 沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值) 650 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 30 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm) 60 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) 2V @ 15V,15A
功率 - 最大值 136 W
开关能量 90µJ(开),450µJ(关)
输入类型 标准
栅极电荷 45 nC
25°C 时 Td(开/关)值 24ns/93ns
测试条件 400V,15A,12 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr) 142 ns
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
供应商器件封装 D²PAK(TO-263)
标准包装 1,000

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
1,000 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥12.131434 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥22.529629 ¥22.53
10+ ¥20.204551 ¥202.05
100+ ¥16.242097 ¥1624.21
500+ ¥13.344677 ¥6672.34
1000+ ¥12.131434 ¥12131.43

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