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SI4214DDY-T1-GE3

Vishay photo

图像仅供参考

请参阅产品规格

制造商编号:
SI4214DDY-T1-GE3
制造商:
Vishay威世
系列:
TrenchFET®
描述:
MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8-SOIC
详细描述:
MOSFET - 阵列 2 N-通道(双) 30V 8.5A 3.1W 表面贴装型 8-SOIC
规格说明书:
SI4214DDY-T1-GE3说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Vishay(威世)
系列 TrenchFET®
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 2 N-通道(双)
FET 功能 逻辑电平门
漏源电压(Vdss) 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 8.5A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 19.5 毫欧 @ 8A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 22nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 660pF @ 15V
功率 - 最大值 3.1W
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装 8-SOIC
标准包装 2,500

替代产品

型号 品牌 参考价格 说明
AO4818B Alpha & Omega Semiconductor Inc. ¥6.53000 类似
STS10DN3LH5 STMicroelectronics ¥9.37000 类似
DMN3033LSDQ-13 Diodes Incorporated ¥0.00000 升级
AO4842 Alpha & Omega Semiconductor Inc. ¥4.91000 类似
DMG4822SSD-13 Diodes Incorporated ¥5.38000 类似

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
2,500 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥2.757169 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥6.875764 ¥6.88
10+ ¥6.063852 ¥60.64
100+ ¥4.650155 ¥465.02
500+ ¥3.676184 ¥1838.09
1000+ ¥2.94095 ¥2940.95
2500+ ¥2.757169 ¥6892.92

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