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1N5809US

Microchip photo

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制造商编号:
1N5809US
制造商:
Microchip微芯
系列:
-
描述:
DIODE GEN PURP 100V 3A B-MELF
详细描述:
二极管 标准 100 V 3A 表面贴装型 B,SQ-MELF
规格说明书:
1N5809US说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Microchip(微芯)
系列 -
包装 散装
零件状态 在售
二极管类型 标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值) 100 V
电流 - 平均整流 (Io) 3A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf) 875 mV @ 4 A
速度 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间 (trr) 30 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 5 µA @ 100 V
不同 Vr、F 时电容 60pF @ 10V,1MHz
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 SQ-MELF,B
供应商器件封装 B,SQ-MELF
工作温度 - 结 -65°C ~ 175°C
标准包装 1

价格库存

库存
0
货期
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标准包装
1 / PCS
包装
散装
单价:¥78.29419 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥78.29419 ¥78.29

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