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IXFN50N120SK

IXYS photo

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请参阅产品规格

制造商编号:
IXFN50N120SK
制造商:
IXYS艾赛斯
系列:
-
描述:
SICFET N-CH 1200V 48A SOT227B
详细描述:
底座安装 N 通道 1200 V 48A(Tc) - SOT-227B
规格说明书:
IXFN50N120SK说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 IXYS(艾赛斯)
系列 -
包装 管件
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss) 1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 48A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 52 毫欧 @ 40A,20V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.8V @ 10mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 115 nC @ 20 V
Vgs(最大值) +20V,-5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1895 pF @ 1000 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) -
工作温度 -40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 底座安装
供应商器件封装 SOT-227B
封装/外壳 SOT-227-4,miniBLOC
标准包装 10

价格库存

库存
0
货期
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标准包装
10 / PCS
包装
管件
总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥695.223411 ¥695.22
10+ ¥660.477059 ¥6604.77
100+ ¥595.301574 ¥59530.16

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