在线客服 
STGW40H65DFB
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号：
- STGW40H65DFB
- 制造商：
- ST意法半导体
- 系列：
- -
- 描述：
- IGBT 650V 80A 283W TO-247
- 详细描述：
- IGBT 沟槽型场截止 650 V 80 A 283 W 通孔 TO-247
- 规格说明书：
- STGW40H65DFB说明书
- 在线客服：
- 咨询客服
- 服务：
- 为用户提供价格咨询，发货售后，在线客服。
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | ST(意法半导体) |
| 系列 | - |
| 包装 | 管件 |
| 零件状态 | 在售 |
| IGBT 类型 | 沟槽型场截止 |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 650 V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 80 A |
| 电流 - 集电极脉冲 (Icm) | 160 A |
| 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值） | 2V @ 15V，40A |
| 功率 - 最大值 | 283 W |
| 开关能量 | 498µJ（开），363µJ（关） |
| 输入类型 | 标准 |
| 栅极电荷 | 210 nC |
| 25°C 时 Td（开/关）值 | 40ns/142ns |
| 测试条件 | 400V，40A，5 欧姆，15V |
| 反向恢复时间 (trr) | 62 ns |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 供应商器件封装 | TO-247 |
| 标准包装 | 30 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| IGW50N65F5FKSA1 | Infineon Technologies | ¥41.16000 | 类似 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 30 / PCS
- 包装
- 管件
单价：￥30.126428 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥48.316853 | ￥48.32 |
| 10+ | ￥43.42673 | ￥434.27 |
| 100+ | ￥35.583634 | ￥3558.36 |
| 500+ | ￥30.291633 | ￥15145.82 |
| 1000+ | ￥30.126428 | ￥30126.43 |
