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ALD111933MAL
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- 制造商编号：
- ALD111933MAL
- 系列：
- EPAD®
- 描述：
- MOSFET 2N-CH 10.6V 8MSOP
- 详细描述：
- MOSFET - 阵列 2 N 沟道（双）配对 10.6V - 500mW 表面贴装型 8-MSOP
- 规格说明书：
- ALD111933MAL说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Advanced Linear Devices |
| 系列 | EPAD® |
| 包装 | 管件 |
| 零件状态 | 停产 |
| FET 类型 | 2 N 沟道（双）配对 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源电压（Vdss） | 10.6V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | - |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 500 欧姆 @ 5.9V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.35V @ 1µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | - |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2.5pF @ 5V |
| 功率 - 最大值 | 500mW |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） |
| 供应商器件封装 | 8-MSOP |
| 标准包装 | 50 |
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- 标准包装
- 50 / PCS
- 包装
- 管件
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