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TK8A65D(STA4,Q,M)
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- TK8A65D(STA4,Q,M)
- 制造商：
- Toshiba东芝
- 系列：
- π-MOSVII
- 描述：
- MOSFET N-CH 650V 8A TO220SIS
- 详细描述：
- 通孔 N 通道 650 V 8A（Ta） 45W（Tc） TO-220SIS
- 规格说明书：
- TK8A65D(STA4,Q,M)说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Toshiba(东芝) |
| 系列 | π-MOSVII |
| 包装 | 散装 |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 650 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 8A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 840 毫欧 @ 4A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 25 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1350 pF @ 25 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 45W（Tc） |
| 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-220SIS |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 标准包装 | 50 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 50 / PCS
- 包装
- 散装
总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥21.976501 | ￥21.98 |
| 10+ | ￥19.748075 | ￥197.48 |
| 100+ | ￥15.87483 | ￥1587.48 |
| 500+ | ￥13.04262 | ￥6521.31 |
| 1000+ | ￥10.806671 | ￥10806.67 |
| 2000+ | ￥10.163015 | ￥20326.03 |
