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RS1E350BNTB

Rohm Semiconductor photo

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制造商编号:
RS1E350BNTB
制造商:
Rohm Semiconductor罗姆
系列:
-
描述:
MOSFET N-CH 30V 35A 8HSOP
详细描述:
表面贴装型 N 通道 30 V 35A(Ta) 35W(Tc) 8-HSOP
规格说明书:
RS1E350BNTB说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Rohm Semiconductor(罗姆)
系列 -
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 35A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 1.7 毫欧 @ 35A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 185 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 7900 pF @ 15 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 35W(Tc)
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 8-HSOP
封装/外壳 8-PowerTDFN
标准包装 2,500

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型号 品牌 参考价格 说明
FDMS7656AS onsemi ¥12.83000 类似

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货期
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标准包装
2,500 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥6.973778 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥16.897222 ¥16.90
10+ ¥15.086894 ¥150.87
100+ ¥11.762903 ¥1176.29
500+ ¥9.716785 ¥4858.39
1000+ ¥7.671115 ¥7671.12
2500+ ¥7.159735 ¥17899.34
5000+ ¥6.973778 ¥34868.89

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