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CSD86350Q5DT

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制造商编号:
CSD86350Q5DT
制造商:
TI德州仪器
系列:
-
描述:
25V POWERBLOCK N CH MOSFET
详细描述:
MOSFET - 阵列 2 个 N 通道(半桥) 25V 40A(Ta) 13W(Ta) 表面贴装型 8-LSON(5x6)
规格说明书:
CSD86350Q5DT说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 TI(德州仪器)
系列 -
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 2 个 N 通道(半桥)
FET 功能 标准
漏源电压(Vdss) 25V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 40A(Ta)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 5 毫欧 @ 25A,5V,1.1 毫欧 @ 25A,5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.1V @ 250µA,1.6V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 10.7nC @ 4.5V,25nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1870pF @ 12.5V,4000pF @ 12.5V
功率 - 最大值 13W(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-PowerLDFN
供应商器件封装 8-LSON(5x6)
标准包装 250

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
250 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥18.681737 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥31.133659 ¥31.13
10+ ¥27.948179 ¥279.48
100+ ¥22.898409 ¥2289.84
250+ ¥21.724083 ¥5431.02
500+ ¥19.492978 ¥9746.49
1000+ ¥18.681737 ¥18681.74

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