PN4119
规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | ON(安森美) |
系列 | - |
包装 | 散装 |
零件状态 | 停产 |
FET 类型 | N 通道 |
电压 - 击穿 (V(BR)GSS) | 40 V |
不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss) | 200 µA @ 10 V |
不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off) | 2 V @ 1 nA |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 3pF @ 10V |
功率 - 最大值 | 350 mW |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA) |
供应商器件封装 | TO-92-3 |
标准包装 | 2,000 |
文档与视频信息
属性 | 属性值 |
---|---|
规格书 | MMBF4117-19 |
环保信息 | onsemi RoHS |
HTML 规格书 | MMBF4117-19 |
价格库存
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- 包装
- 散装
总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
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