CSD13380F3T
![TI photo](https://file.ygchip.com/brands/labels/Texas Instruments.png)
![](https://file.ygchip.com/photos/TI/6sEuGWkb.jpg)
![](https://file.ygchip.com/photos/TI/6sEuGWkb.jpg)
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号:
- CSD13380F3T
- 制造商:
- TI德州仪器
- 系列:
- FemtoFET™
- 描述:
- MOSFET N-CH 12V 3.6A 3PICOSTAR
- 详细描述:
- 表面贴装型 N 通道 12 V 3.6A(Ta) 500mW(Ta) 3-PICOSTAR
- 规格说明书:
- CSD13380F3T说明书
- 在线客服:
- 咨询客服
- 服务:
- 为用户提供价格咨询,发货售后,在线客服。
规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | TI(德州仪器) |
系列 | FemtoFET™ |
包装 | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态 | 在售 |
FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 12 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3.6A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 1.8V,4.5V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 76 毫欧 @ 400mA,4.5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 1.3V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 1.2 nC @ 4.5 V |
Vgs(最大值) | 8V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 156 pF @ 6 V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 500mW(Ta) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | 3-PICOSTAR |
封装/外壳 | 3-XFDFN |
标准包装 | 250 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 250 / PCS
- 包装
- 卷带(TR)
总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
---|---|---|
1+ | ¥8.662936 | ¥8.66 |
10+ | ¥7.624524 | ¥76.25 |
100+ | ¥5.846798 | ¥584.68 |
250+ | ¥5.431023 | ¥1357.76 |
500+ | ¥4.622155 | ¥2311.08 |
1000+ | ¥3.697717 | ¥3697.72 |
2000+ | ¥3.67671 | ¥7353.42 |