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IRFR220NTRPBF
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- IRFR220NTRPBF
- 制造商：
- Infineon英飞凌
- 系列：
- HEXFET®
- 描述：
- MOSFET N-CH 200V 5A DPAK
- 详细描述：
- 表面贴装型 N 通道 200 V 5A（Tc） 43W（Tc） D-Pak
- 规格说明书：
- IRFR220NTRPBF说明书
- 在线客服：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Infineon(英飞凌) |
| 系列 | HEXFET® |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 200 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 5A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 600 毫欧 @ 2.9A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 23 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 300 pF @ 25 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 43W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| 标准包装 | 2,000 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| STD5N20LT4 | STMicroelectronics | ¥8.91000 | 类似 |
| FDD6N25TM | onsemi | ¥5.68000 | 类似 |
| IRFR220TRRPBF | Vishay Siliconix | ¥12.67000 | 类似 |
| IRFR220PBF | Vishay Siliconix | ¥7.53000 | 类似 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 2,000 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
单价：￥4.741815 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥10.69287 | ￥10.69 |
| 10+ | ￥9.386102 | ￥93.86 |
| 100+ | ￥7.197669 | ￥719.77 |
| 500+ | ￥5.690174 | ￥2845.09 |
| 1000+ | ￥4.741803 | ￥4741.80 |
| 2000+ | ￥4.741815 | ￥9483.63 |
