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RS1L120GNTB

Rohm Semiconductor photo

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制造商编号:
RS1L120GNTB
制造商:
Rohm Semiconductor罗姆
系列:
-
描述:
MOSFET N-CH 60V 12A/36A 8HSOP
详细描述:
表面贴装型 N 通道 60 V 12A(Ta),36A(Tc) 3W(Ta) 8-HSOP
规格说明书:
RS1L120GNTB说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Rohm Semiconductor(罗姆)
系列 -
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 12A(Ta),36A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 12.7mOhm @ 12A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.7V @ 200µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 26 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1330 pF @ 30 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 3W(Ta)
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 8-HSOP
封装/外壳 8-PowerTDFN
标准包装 2,500

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
2,500 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥7.018178 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥16.99669 ¥17.00
10+ ¥15.182632 ¥151.83
100+ ¥11.83738 ¥1183.74
500+ ¥9.77868 ¥4889.34
1000+ ¥7.720004 ¥7720.00
2500+ ¥7.205328 ¥18013.32
5000+ ¥7.018178 ¥35090.89

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