RS1L120GNTB
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号:
- RS1L120GNTB
- 制造商:
- Rohm Semiconductor罗姆
- 系列:
- -
- 描述:
- MOSFET N-CH 60V 12A/36A 8HSOP
- 详细描述:
- 表面贴装型 N 通道 60 V 12A(Ta),36A(Tc) 3W(Ta) 8-HSOP
- 规格说明书:
- RS1L120GNTB说明书
- 在线客服:
- 咨询客服
- 服务:
- 为用户提供价格咨询,发货售后,在线客服。
规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | Rohm Semiconductor(罗姆) |
系列 | - |
包装 | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态 | 在售 |
FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 60 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 12A(Ta),36A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 12.7mOhm @ 12A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2.7V @ 200µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 26 nC @ 10 V |
Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 1330 pF @ 30 V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 3W(Ta) |
工作温度 | 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | 8-HSOP |
封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
标准包装 | 2,500 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 2,500 / PCS
- 包装
- 卷带(TR)
单价:¥7.018178 总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
---|---|---|
1+ | ¥16.99669 | ¥17.00 |
10+ | ¥15.182632 | ¥151.83 |
100+ | ¥11.83738 | ¥1183.74 |
500+ | ¥9.77868 | ¥4889.34 |
1000+ | ¥7.720004 | ¥7720.00 |
2500+ | ¥7.205328 | ¥18013.32 |
5000+ | ¥7.018178 | ¥35090.89 |