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SIHP11N80AE-GE3

Vishay photo

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制造商编号:
SIHP11N80AE-GE3
制造商:
Vishay威世
系列:
E
描述:
MOSFET N-CH 800V 8A TO220AB
详细描述:
通孔 N 通道 800 V 8A(Tc) 78W(Tc) TO-220AB
规格说明书:
SIHP11N80AE-GE3说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Vishay(威世)
系列 E
包装 管件
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 8A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 450 毫欧 @ 5.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 42 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 804 pF @ 100 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 78W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220AB
封装/外壳 TO-220-3
标准包装 1,000

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
1,000 / PCS
包装
管件
单价:¥10.303836 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥20.241852 ¥20.24
10+ ¥18.199016 ¥181.99
100+ ¥14.631203 ¥1463.12
500+ ¥12.021248 ¥6010.62
1000+ ¥10.303836 ¥10303.84

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