PSMN6R5-80BS,118
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请参阅产品规格
- 制造商编号:
- PSMN6R5-80BS,118
- 制造商:
- Nexperia安世
- 系列:
- -
- 描述:
- MOSFET N-CH 80V 100A D2PAK
- 详细描述:
- 表面贴装型 N 通道 80 V 100A(Tc) 210W(Tc) D2PAK
- 规格说明书:
- PSMN6R5-80BS,118说明书
- 在线客服:
- 咨询客服
- 服务:
- 为用户提供价格咨询,发货售后,在线客服。
规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | Nexperia(安世) |
系列 | - |
包装 | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态 | 在售 |
FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 80 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 100A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 6.9 毫欧 @ 15A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 1mA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 71 nC @ 10 V |
Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 4461 pF @ 40 V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 210W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | D2PAK |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB |
标准包装 | 800 |
替代产品
型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
---|---|---|---|
STB140NF75T4 | STMicroelectronics | ¥33.64000 | 类似 |
IRF3808STRLPBF | Infineon Technologies | ¥26.96000 | 类似 |
IPB054N08N3GATMA1 | Infineon Technologies | ¥17.74000 | 类似 |
IRFS3307TRLPBF | Infineon Technologies | ¥32.25000 | 类似 |
IPB100N08S2L07ATMA1 | Infineon Technologies | ¥10.83887 | 类似 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 800 / PCS
- 包装
- 卷带(TR)
总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
---|---|---|
1+ | ¥21.885312 | ¥21.89 |
10+ | ¥19.634089 | ¥196.34 |
100+ | ¥15.784667 | ¥1578.47 |
800+ | ¥12.968427 | ¥10374.74 |
1600+ | ¥11.115812 | ¥17785.30 |
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