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NTJD1155LT1

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制造商编号:
NTJD1155LT1
制造商:
ON安森美
系列:
-
描述:
MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SOT-363
详细描述:
MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 8V 1.3A 400mW 表面贴装型 SC-88/SC70-6/SOT-363
规格说明书:
NTJD1155LT1说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 ON(安森美)
系列 -
包装 卷带(TR)
零件状态 停产
FET 类型 N 和 P 沟道
FET 功能 标准
漏源电压(Vdss) 8V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 1.3A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 175 毫欧 @ 1.2A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) -
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) -
功率 - 最大值 400mW
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装 SC-88/SC70-6/SOT-363
标准包装 3,000

价格库存

库存
0
货期
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标准包装
3,000 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥0 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
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